近日，山東誌偉環保科技有限公司在半導體高端制造領域取得重要技術突破，其自主研發的臭氧發生器在半導體晶圓清洗與刻蝕工藝中的應用技術，成功獲得兩項國家發明專利授權（專利號：ZL 2024 1 1884071.2、2024118840939），標誌著公司在高精度環保裝備研發領域邁入行業前沿。

隨著半導體產業對清洗和刻蝕工藝的精度、環保性要求日益嚴苛，臭氧技術因高效、無殘留、綠色低碳等優勢成為行業焦點。此次獲授權的專利技術，聚焦臭氧濃度精準控制、氣體分布均勻性優化及設備長效穩定運行等核心難點，攻克了傳統工藝中效率低、能耗高、二次汙染風險大等瓶頸。新技術的應用可顯著提升晶圓表面處理均勻度，降低化學品使用量，助力半導體制造企業實現降本增效與環保達標“雙贏”。

公司技術總監表示：“兩項專利的落地，是團隊多年深耕臭氧應用技術的裏程碑成果。我們正加速推進技術產業化，為半導體產業鏈國產化提供高可靠性裝備支撐。”目前，相關設備已通過國內頭部半導體企業測試，並進入小批量試用階段。

作為臭氧技術領域的創新領跑者，山東誌偉環保科技持續聚焦高端制造與綠色轉型需求，此次專利突破不僅彰顯了企業的研發實力，也為中國半導體產業自主可控註入新動能。未來，公司將進壹步深化產學研合作，賦能“中國芯”智造升級。