半導體專用臭氧發生器

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半導體專用臭氧發生器200-500g

該半導體專用臭氧發生器，高臭氧濃度、低耗氧量、低功耗、相關反應性高、低能耗，在半導體清洗刻蝕方面的應用獲得二項發明專利。
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半導體專用臭氧發生器40-100g

該半導體專用臭氧發生器，高臭氧濃度、低耗氧量、低功耗、相關反應性高、低能耗，在半導體清洗刻蝕方面的應用獲得二項發明專利。
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半導體專用臭氧發生器10-30g

該半導體專用臭氧發生器，高臭氧濃度、低耗氧量、低功耗、相關反應性高、低能耗，在半導體清洗刻蝕方面的應用獲得二項發明專利。
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