該半導體專用臭氧發生器，高臭氧濃度、低耗氧量、低功耗、相關反應性高、低能耗，在半導體清洗刻蝕方面的應用獲得二項發明專利。內部采用專利陶瓷臭氧發生單元、施耐德電器件、專用氣源預處理系統及PSA變壓吸附制氧技術，防潮防爆防泄漏，濃度高且產量穩定，性能可靠。整體結構制氧壹體機設計，安裝方便，占地面積小。可實現全自動PLC控制，操作面板采用觸摸屏控制主機，臭氧的產生及臭氧投加系統中的各個環節、設備都可進行集中控制。